在近日舉辦的晶圓代工業(yè)務(wù)盛會上，Intel揭開了其工藝制程路線圖的最新篇章，并分享了代工業(yè)務(wù)的最新動態(tài)。據(jù)Intel公布的數(shù)據(jù)，自2021年宣布“四年五個工藝節(jié)點”戰(zhàn)略以來，至2024年的四年間，Intel在全球范圍內(nèi)投資了高達(dá)900億美元。

在這筆龐大的投資中，約180億美元被用于技術(shù)研發(fā)，旨在推動技術(shù)創(chuàng)新與突破；而370億美元則流向了晶圓廠設(shè)備，以確保生產(chǎn)線的先進(jìn)性和高效性。

Intel透露，其18A制程節(jié)點已進(jìn)入風(fēng)險試產(chǎn)的關(guān)鍵階段，并有望在年內(nèi)實現(xiàn)量產(chǎn)。而更令人期待的是，18A之后的下一代14A工藝制程，預(yù)計將在2027年前后步入風(fēng)險生產(chǎn)階段。14A工藝預(yù)計能帶來15%至20%的能效提升，并且芯片密度將增加1.3倍，已有多個客戶計劃流片測試14A芯片。

與18A采用的PowerVia背面供電技術(shù)不同，14A將引入PowerDirect直接觸點供電技術(shù)，這一變化有望進(jìn)一步提升芯片的性能和能效。

Intel還揭曉了18A工藝的兩個衍生版本——18A-P和18A-PT。其中，18A-P以卓越性能為亮點，其早期試驗晶圓已開始生產(chǎn)，且與18A設(shè)計規(guī)則兼容。而18A-PT則是在18A-P的基礎(chǔ)上進(jìn)一步演進(jìn)，可通過先進(jìn)的Foveros Direct 3D封裝技術(shù)與頂層芯片連接，實現(xiàn)混合鍵合互連間距小于5微米。Foveros Direct 3D封裝技術(shù)已被臺積電應(yīng)用于生產(chǎn)中，消費(fèi)者熟知的AMD 3D V-Cache產(chǎn)品便是其典型應(yīng)用。

在成熟節(jié)點方面，Intel代工的首批基于16納米制程的產(chǎn)品已正式進(jìn)入晶圓廠生產(chǎn)流程。同時，Intel還在與主要客戶洽談合作開發(fā)12納米節(jié)點及其演進(jìn)版本的事宜，這一合作由UMC共同參與。