近期，科技界傳來(lái)了一則引人注目的消息：三星芯片業(yè)務(wù)的高層親自造訪了美國(guó)英偉達(dá)總部，這一舉動(dòng)背后隱藏著一項(xiàng)重要的技術(shù)展示與合作洽談。據(jù)悉，三星此行的主要目的是向英偉達(dá)展示其最新研發(fā)的1b DRAM芯片樣品，該樣品專為高帶寬內(nèi)存（HBM）設(shè)計(jì)。

據(jù)了解，三星此次展示的1b DRAM芯片樣品，是基于英偉達(dá)此前提出的設(shè)計(jì)改進(jìn)要求而精心打造的。這一舉動(dòng)并不常見(jiàn)，因?yàn)槿窃O(shè)備解決方案（DS）部門的負(fù)責(zé)人通常不會(huì)親自向客戶展示樣品。此次訪問(wèn)，無(wú)疑彰顯了三星對(duì)英偉達(dá)這一重要客戶的重視程度。

事實(shí)上，三星在研發(fā)1b DRAM芯片的過(guò)程中曾遭遇不少挑戰(zhàn)。去年，三星曾計(jì)劃使用這款芯片生產(chǎn)HBM，但遭遇了良品率和過(guò)熱問(wèn)題。作為第五代10納米產(chǎn)品，1b DRAM原計(jì)劃用于HBM3E的生產(chǎn)。然而，由于上述問(wèn)題的存在，三星一度考慮放棄1b DRAM，轉(zhuǎn)而使用其前代產(chǎn)品1a DRAM來(lái)生產(chǎn)HBM3E 8H和12H，并計(jì)劃跳過(guò)1b DRAM，直接使用1c DRAM生產(chǎn)HBM4。

然而，英偉達(dá)的堅(jiān)持改變了三星的計(jì)劃。英偉達(dá)方面認(rèn)為，1b DRAM在性能和潛力上具有獨(dú)特優(yōu)勢(shì)，因此要求三星繼續(xù)改進(jìn)并投入使用。為了滿足客戶的需求，三星不得不重新調(diào)整研發(fā)計(jì)劃，投入更多資源進(jìn)行1b DRAM的設(shè)計(jì)改進(jìn)。此次三星副董事長(zhǎng)兼DS部門負(fù)責(zé)人Young Hyun Jun的親自訪問(wèn)，正是為了確保三星能夠贏得英偉達(dá)的HBM3E訂單。

值得注意的是，三星的競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手SK海力士已經(jīng)在向英偉達(dá)供應(yīng)采用1b DRAM生產(chǎn)的HBM3E 12H產(chǎn)品。同時(shí)，美光科技也預(yù)計(jì)將在近期開(kāi)始生產(chǎn)面向英偉達(dá)人工智能加速器所需的HBM產(chǎn)品。面對(duì)激烈的市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)，三星此次的改進(jìn)和展示無(wú)疑是一次重要的反擊。

三星方面表示，其“改進(jìn)版”HBM3E的準(zhǔn)備工作進(jìn)展順利，并計(jì)劃在今年第二季度正式量產(chǎn)并供貨。作為DRAM領(lǐng)域的專家，Young Hyun Jun不僅主導(dǎo)了此次1b DRAM的設(shè)計(jì)改進(jìn)工作，還親自參與了與英偉達(dá)的洽談和展示活動(dòng)。他的專業(yè)知識(shí)和豐富經(jīng)驗(yàn)為三星贏得了寶貴的合作機(jī)會(huì)。

回顧今年1月的CES展會(huì)，英偉達(dá)首席執(zhí)行官黃仁勛曾表示，三星需要重新設(shè)計(jì)其HBM以通過(guò)英偉達(dá)的資格認(rèn)證。如今看來(lái)，三星已經(jīng)積極響應(yīng)并完成了這一要求，為未來(lái)的合作奠定了堅(jiān)實(shí)基礎(chǔ)。