近期，SK海力士在DRAM芯片技術領域實現了重大飛躍，其1cnm工藝的DRAM芯片良品率顯著增長，從去年下半年的60%躍升至當前的80%-90%，這一水平已躋身行業前列。
這一技術革新恰好迎合了AI技術蓬勃發展所帶來的高性能存儲需求的激增。SK海力士有望借此在消費級市場和數據中心市場構建顯著的技術優勢，對三星在DRAM領域的霸主地位構成有力挑戰。
采用1cnm工藝精心打造的DDR5 DRAM芯片，在性能上實現了顯著提升。其運行速率高達8Gbps，相比前代產品提升了11%。同時，能效也提高了9%以上。通過一系列設計技術的創新，生產效率更是提升了超過30%。
SK海力士在提升芯片性能的同時，也兼顧了成本控制。通過引入新型材料和優化EUV工藝，該公司成功保持了成本競爭力。據估算，數據中心采用這種新型芯片后，電力成本有望節省30%以上。
盡管目前具體的上市時間尚未明確，但這一技術突破無疑為下一代高性能存儲解決方案的發展奠定了堅實的基礎。隨著良品率的不斷攀升和產能的逐步擴大，1cnm DRAM芯片有望徹底改變存儲市場的格局，為AI時代的數據處理需求提供更加堅實的支持。
