三星電子正全力以赴地推進(jìn)其1nm工藝的研發(fā)進(jìn)程，旨在高端芯片市場(chǎng)搶占先機(jī)。據(jù)相關(guān)消息透露，三星已正式成立專項(xiàng)研發(fā)團(tuán)隊(duì)，致力于開(kāi)發(fā)下一代1nm工藝節(jié)點(diǎn)，并計(jì)劃于2029年投入量產(chǎn)。

為了這一宏偉目標(biāo)，三星電子半導(dǎo)體研究所已經(jīng)啟動(dòng)了1nm工藝的研發(fā)工作。值得注意的是，部分曾深度參與2nm工藝研發(fā)的核心成員已被調(diào)配至該團(tuán)隊(duì)，共同為實(shí)現(xiàn)這一“夢(mèng)想中的半導(dǎo)體工藝”而努力。

據(jù)業(yè)內(nèi)人士透露，1nm工藝的研發(fā)難度極大，需要引入一系列全新的技術(shù)理念，并配備高數(shù)值孔徑的極紫外設(shè)備。然而，目前三星方面尚未公開(kāi)確認(rèn)是否已訂購(gòu)這些尖端設(shè)備。

此番三星的大動(dòng)作，無(wú)疑是在向行業(yè)巨頭臺(tái)積電發(fā)起挑戰(zhàn)。長(zhǎng)期以來(lái)，臺(tái)積電在先進(jìn)制程領(lǐng)域一直保持著領(lǐng)先地位，其2nm工藝預(yù)計(jì)將于2026年下半年率先實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，同時(shí)也在緊鑼密鼓地推進(jìn)1nm工藝的研發(fā)。相比之下，三星在2nm工藝上的良率表現(xiàn)尚不及臺(tái)積電，而其1.4nm工藝則預(yù)計(jì)將于2027年才能量產(chǎn)。

面對(duì)如此激烈的競(jìng)爭(zhēng)態(tài)勢(shì)，三星顯然希望通過(guò)1nm工藝的研發(fā)實(shí)現(xiàn)“技術(shù)逆襲”，從而在高端芯片市場(chǎng)占據(jù)更有利的地位。