近期，半導體制造巨頭臺積電在北美技術研討會上分享了其下一代芯片制造技術的最新進展，透露了關于2納米（N2）工藝及后續(xù)技術的詳細信息。

據悉，臺積電計劃在今年下半年正式投入量產其N2芯片。這是該公司首次采用全環(huán)繞柵極（GAA）納米片晶體管技術，標志著臺積電在芯片制造技術上邁出了重要一步。N2工藝作為臺積電全新的工藝技術，采用了創(chuàng)新的納米片或環(huán)繞柵極設計，旨在進一步提升芯片的性能和能效。

目前，臺積電的N3系列（即3納米工藝）已經包含了量產的N3和N3E版本，并且還在規(guī)劃推出N3P、N3X、N3A以及N3C等多個衍生版本。而N2工藝作為臺積電下一代的核心技術，相較于前代技術，能夠在保持相同功耗的情況下實現10%-15%的速度提升，或者在保持相同速度的情況下降低20%-30%的功耗。與現有的N3E工藝相比，N2工藝的性能提升了10%-15%，功耗降低了25%-30%，同時晶體管密度也增加了15%。

臺積電還透露，N2工藝的晶體管性能已經接近預期目標，256Mb SRAM模塊的平均良率超過了90%。隨著N2工藝逐漸進入量產階段，其工藝成熟度也將不斷提升。臺積電預計，在智能手機和高性能計算應用的推動下，2納米技術的流片數量在投產初期將超過3納米和5納米技術。

在N2工藝的基礎上，臺積電還推出了N2P作為N2系列的進一步優(yōu)化版本。N2P將在N2的基礎上進一步提升性能和功耗表現，并計劃于2026年投入生產。而在N2P之后，臺積電將進入更為先進的A16（即1.6納米）節(jié)點。

A16工藝的核心技術特點之一是采用了超級電軌架構，也稱為背面供電技術。這種創(chuàng)新技術通過將供電網絡移至晶圓背面，釋放了更多的正面布局空間，從而提升了芯片的邏輯密度和整體效能。據臺積電介紹，與N2P相比，A16在相同電壓和設計條件下可以實現8%-10%的性能提升；在相同頻率和晶體管數量下，功耗則能降低15%-20%，密度提升范圍為1.07-1.10倍。A16工藝特別適合用于信號路由復雜且供電網絡密集的高性能計算（HPC）產品，計劃于2026年下半年開始量產。

臺積電表示，通過推出N2、N2P、A16及其相關衍生產品，將進一步鞏固其在半導體制造領域的技術領先地位，為未來的增長奠定堅實基礎。