近日，韓國媒體《ChosunBiz》披露了一則關于三星電子在先進制程技術上的新進展。報道指出，在4nm制程的HBM4內存邏輯芯片的初步測試生產中，三星電子取得了40%的良率，這一成績不僅遠超通常10%的起點水平，也大幅優于先前同制程產品的不足20%表現。

雖然40%的良率僅代表初步階段的成果，但這一數據無疑為三星電子在4nm HBM4邏輯芯片的進一步開發奠定了較為堅實的基礎。隨著芯片制造技術的不斷成熟，業界普遍預期這一良率將會持續上升。

回顧歷史，三星電子在HBM3時期曾遭遇重大挫折，不僅失去了70%的HBM內存市場份額，還首次讓出了第一大DRAM原廠的寶座，這一變化讓競爭對手SK海力士獲益匪淺。為了扭轉局勢，三星電子在HBM4的研發上采取了更為激進的技術策略。

據悉，三星電子計劃在12Hi HBM4中引入1c nm DRAM內存芯片和4nm邏輯芯片。盡管邏輯芯片端的初步測試結果較為樂觀，但在1c nm DRAM方面，三星電子卻面臨著一些挑戰。另一家韓國媒體《DealSite》近日報道稱，自1z nm時期開始出現的電容漏電問題，正在對三星1c nm DRAM的開發量產造成顯著影響。

為了應對這一挑戰，三星電子正試圖通過放寬線寬等方式來改進電容器的性能表現。然而，盡管三星進行了諸多嘗試，但電容器的穩定性仍未達到預期水平，這很可能導致1c nm的研發進度受到拖累。三星電子能否在HBM4上實現全面突破，目前仍是一個未知數。